12
IXFH14N100
IXFH15N100
5000
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
10
8
6
4
DS 500V
Vds=300V
7.5A
I D =30A
I G =10mA
2500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
2
250
0
0
40
80
120
160
200
240
280
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
V DS - Volts
40
32
24
16
8
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
T J = 125 O C
T J = 25 O C
Fig.8
Capacitance Curves
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V SD - Volts
Fig.9 Source current vs Source drain voltage.
1
0.1
Single pulse
0.01
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料
IXFT14N80P MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
IXFT150N20T MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
IXFT15N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
IXFT15N100Q MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
IXFT15N80Q MOSFET N-CH 800V 15A TO-268
IXFT16N80P MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
IXFT17N80Q MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
IXFT18N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
相关代理商/技术参数
IXFT14N80P 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT150N17T2 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N20T 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N100 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N100Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N80Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT16N120P 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube